RTN的SRAM误操作观测与模拟方法研究 随着半导体技术的不断发展，SRAM（静态随机存储器）已经成为了现代计算机系统中不可或缺的一部分。由于尺寸不断缩小和工作电压降低等原因，SRAM在面临一些新的挑战，其中之一就是辐射诱导噪声（RTN）引起的误操作。为了解决这个问题，研究人员们开始关注和研究RTN的SRAM误操作观测与模拟方法。 1. RTN是指在半导体器件中由于辐射引起的电子能级的随机变化，从而导致存储器元件的误操作。这种误操作可能导致数据丢失或错误，对计算机系统的可靠性和稳定性造成威胁。